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---专业的电子元器件供应商,主要经营全球知名品牌电子元器件:
<1>:TI的高性能模拟器件,包括电源管理、数据转换器、放大器、线性器件、数字音频、模拟开关等;
<2>:ISSI的存储器,包括同步SRAM、异步SRAM、DROM、EEPROM、智能卡、晶圆等;
<3>:IDT的时序解决方案,包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器,锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO),电信/ 数据通信,包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器,数字视频,包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV,存储器接口,包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等;
<4>:REALTEK的网络通信芯片、电脑外围驱动芯片、多媒体芯片等;
<5>:PERICOM的PCIe 相关产品,PCIe 桥接芯片,PCIe 时钟器件,PCIe 交换设备,PCIe 信号驱动产品,时钟产品,包括时钟产生器,时钟扇出芯片,可编程时钟去抖芯片,零延时扇出芯片,逻辑产品:总线驱动,总线开关等,标准专用产品切换开关,包括支持PCIe,USB,HDMI/DVI 开关,晶体和晶振产品,Crystal 和Oscillator 产品等;
<6>:TDK的产品,包括电感线圈、瓷片电容等;
<7>:CHILISIN的产品,包括功率电感、磁珠等;
<8>:TE CONNECTIVITY的产品,包括电路保护器件、连接器及连接器组件、继电器、开关等;
<9>:KEMET、AVX的钽电容;
<10>:KEXIN的三极管、场效应管、二极管、片状集成电路等。
品种齐全,货源充足,价格从优。


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<1>:TI的高性能模拟器件,包括电源管理、数据转换器、放大器、线性器件、数字音频、模拟开关等;
<2>:ISSI的存储器,包括同步SRAM、异步SRAM、DROM、EEPROM、智能卡、晶圆等;
<3>:IDT的时序解决方案,包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器,锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO),电信/ 数据通信,包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器,数字视频,包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV,存储器接口,包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等;
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<6>:TDK的产品,包括电感线圈、瓷片电容等;
<7>:CHILISIN的产品,包括功率电感、磁珠等;
<8>:TE CONNECTIVITY的产品,包括电路保护器件、连接器及连接器组件、继电器、开关等;
<9>:KEMET、AVX的钽电容;
<10>:KEXIN的三极管、场效应管、二极管、片状集成电路等。
品种齐全,货源充足,价格从优。


---专业的电子元器件供应商,主要经营全球知名品牌电子元器件:
<1>:TI的高性能模拟器件,包括电源管理、数据转换器、放大器、线性器件、数字音频、模拟开关等;
<2>:ISSI的存储器,包括同步SRAM、异步SRAM、DROM、EEPROM、智能卡、晶圆等;
<3>:IDT的时序解决方案,包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器,锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO),电信/ 数据通信,包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器,数字视频,包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV,存储器接口,包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等;
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Littelfuse TVS 二极管数组性能实现重大升级

更新日期:2011-07-23

SPLV2.8与SPLV2.8-4系列分别是面向10/100/1000以太网应用的单信道和四信道TVS数组。该系列具有更低的负载电容(2pF),可将1GbE接口的信号衰减程度降至最低水平,同时还大幅提高了雷击抗扰度,达到40A(tP = 8/20µs)。此外,这两种器件均超过了IEC61000-4-2 ESD标准的最高保护水平,可提供高达±30kV(接触放电)的保护。它们能够帮助制造商满足GR-1089(NA)、ITU K.20/21(欧洲)和YD/T(中国)等标准的要求。

 

《国际电子商情》

 

特性与优势:

 

 

  • ESD、IEC61000-4-2、±30kV接触放电/ ±30kV空气放电;
    • ESD保护水平远远超过了IEC61000-4-2标准的最高保护水平(±8kV)
  •  

  • 雷击、IEC61000-4-5、40A(tP=8/20μs)
    • 高级雷击保护有助于满足符合法规标准的设计要求
  • 每个I/O仅2pF(典型值)
    • 低电容能够将信号衰减程度降至最低水平,特别是针对1GbE界面的应用
  •  

  • 超低的动态电阻 仅约0.4Ω
    • 其低导通电压和动态电阻提供了超低箝位电压

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