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---专业的电子元器件供应商,主要经营全球知名品牌电子元器件：
<1>：TI的高性能模拟器件，包括电源管理、数据转换器、放大器、线性器件、数字音频、模拟开关等；
<2>：ISSI的存储器，包括同步SRAM、异步SRAM、DROM、EEPROM、智能卡、晶圆等；
<3>：IDT的时序解决方案，包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器，锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO)，电信/ 数据通信，包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器，数字视频，包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV，存储器接口，包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等；
<4>：REALTEK的网络通信芯片、电脑外围驱动芯片、多媒体芯片等；
<5>：PERICOM的PCIe 相关产品，PCIe 桥接芯片，PCIe 时钟器件，PCIe 交换设备，PCIe 信号驱动产品，时钟产品，包括时钟产生器，时钟扇出芯片，可编程时钟去抖芯片，零延时扇出芯片，逻辑产品：总线驱动，总线开关等，标准专用产品切换开关，包括支持PCIe，USB，HDMI/DVI 开关，晶体和晶振产品，Crystal 和Oscillator 产品等；
<6>：TDK的产品，包括电感线圈、瓷片电容等；
<7>：CHILISIN的产品，包括功率电感、磁珠等；
<8>：TE CONNECTIVITY的产品，包括电路保护器件、连接器及连接器组件、继电器、开关等；
<9>：KEMET、AVX的钽电容；
<10>：KEXIN的三极管、场效应管、二极管、片状集成电路等。
品种齐全,货源充足,价格从优。


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<3>：IDT的时序解决方案，包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器，锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO)，电信/ 数据通信，包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器，数字视频，包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV，存储器接口，包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等；
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<6>：TDK的产品，包括电感线圈、瓷片电容等；
<7>：CHILISIN的产品，包括功率电感、磁珠等；
<8>：TE CONNECTIVITY的产品，包括电路保护器件、连接器及连接器组件、继电器、开关等；
<9>：KEMET、AVX的钽电容；
<10>：KEXIN的三极管、场效应管、二极管、片状集成电路等。
品种齐全,货源充足,价格从优。


---专业的电子元器件供应商,主要经营全球知名品牌电子元器件：
<1>：TI的高性能模拟器件，包括电源管理、数据转换器、放大器、线性器件、数字音频、模拟开关等；
<2>：ISSI的存储器，包括同步SRAM、异步SRAM、DROM、EEPROM、智能卡、晶圆等；
<3>：IDT的时序解决方案，包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器，锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO)，电信/ 数据通信，包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器，数字视频，包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV，存储器接口，包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等；
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IR为低功率应用推出双PQFN功率MOSFETs

更新日期：2011-07-23

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

 

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET， 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内，配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。

 

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用，为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今，IR新增了这些封装，能够提供一系列低压PQFN产品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件，以及单器件或双器件，它们都拥有极低的导通电阻。”

 

这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件，可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm，与现有的表面贴装技术相兼容，并且拥有符合行业标准的占位空间，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

 

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