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---专业的电子元器件供应商,主要经营全球知名品牌电子元器件:
<1>:TI的高性能模拟器件,包括电源管理、数据转换器、放大器、线性器件、数字音频、模拟开关等;
<2>:ISSI的存储器,包括同步SRAM、异步SRAM、DROM、EEPROM、智能卡、晶圆等;
<3>:IDT的时序解决方案,包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器,锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO),电信/ 数据通信,包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器,数字视频,包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV,存储器接口,包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等;
<4>:REALTEK的网络通信芯片、电脑外围驱动芯片、多媒体芯片等;
<5>:PERICOM的PCIe 相关产品,PCIe 桥接芯片,PCIe 时钟器件,PCIe 交换设备,PCIe 信号驱动产品,时钟产品,包括时钟产生器,时钟扇出芯片,可编程时钟去抖芯片,零延时扇出芯片,逻辑产品:总线驱动,总线开关等,标准专用产品切换开关,包括支持PCIe,USB,HDMI/DVI 开关,晶体和晶振产品,Crystal 和Oscillator 产品等;
<6>:TDK的产品,包括电感线圈、瓷片电容等;
<7>:CHILISIN的产品,包括功率电感、磁珠等;
<8>:TE CONNECTIVITY的产品,包括电路保护器件、连接器及连接器组件、继电器、开关等;
<9>:KEMET、AVX的钽电容;
<10>:KEXIN的三极管、场效应管、二极管、片状集成电路等。
品种齐全,货源充足,价格从优。


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<3>:IDT的时序解决方案,包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器,锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO),电信/ 数据通信,包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器,数字视频,包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV,存储器接口,包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等;
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<7>:CHILISIN的产品,包括功率电感、磁珠等;
<8>:TE CONNECTIVITY的产品,包括电路保护器件、连接器及连接器组件、继电器、开关等;
<9>:KEMET、AVX的钽电容;
<10>:KEXIN的三极管、场效应管、二极管、片状集成电路等。
品种齐全,货源充足,价格从优。


---专业的电子元器件供应商,主要经营全球知名品牌电子元器件:
<1>:TI的高性能模拟器件,包括电源管理、数据转换器、放大器、线性器件、数字音频、模拟开关等;
<2>:ISSI的存储器,包括同步SRAM、异步SRAM、DROM、EEPROM、智能卡、晶圆等;
<3>:IDT的时序解决方案,包括时钟产生器、缓冲器、合成器、抖动衰减器,锁相环(PLL)、振荡器、压控振荡器(VCXO),电信/ 数据通信,包括T1/E1、TSI、通信时钟、WAN PLL、声表面波(SAW)滤波器PCI Express 交换机/ 桥、信号驱动器,数字视频,包括LVDS 发射器/接收器、HMDI 接收器、HDMI 开关、HQV,存储器接口,包括先进内存缓冲器(AMB)、基于PLL 的零延迟缓冲器、寄存器等;
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铝电解电容与钽电解电容比较

更新日期:2011-07-23

铝电解电容的容体比较大,串联电阻较大,感抗较大,对温度敏感。它适用于温度变化不大、工作频率不高(不高于25kHz)的场合,可用于低频滤波(在高频率得时候电解电容的并联滤波效果较低频差),铝电解电容具有极性,安装时必须保证正确的极性,否则有爆炸的危险。

与铝电解电容相比,钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优势。但是它的工作电压较低。

铝电解电容器的额定电压的1.3倍作为电容器的浪涌电压,工作电压高于160V时,是额定工作电压+50V作为浪涌电压,这是生产厂家保证的电压,可以允许在短时间内承受此电压。电容器处于浪涌电压时,电流会很大,通常是正常情况的10~15倍,如果时间太长,会爆开。所以一般选用铝电容器应该把电压选得稍高些,实际工作电压为标称电压的70~80%为宜。

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